FinFET, también conocido como Transistor de Efecto de Campo de Fin, es un tipo de transistor no plano o "3D" utilizado en el diseño de procesadores modernos. Al igual que en los diseños planares anteriores, se basa en un sustrato SOI (silicona en el aislante). Sin embargo, los diseños de FinFET también utilizan un canal conductor que se eleva por encima del nivel del aislador, creando una estructura de silicio delgada, con forma de aleta, que se llama un electrodo de compuerta. Este electrodo en forma de aleta permite que múltiples puertas operen en un solo transistor.

Este tipo de proceso de múltiples puertas extiende la ley de Moore, permitiendo a los fabricantes de semiconductores crear CPU y módulos de memoria que son más pequeños, funcionan más rápido y consumen menos energía. Intel comenzó a lanzar la tecnología de CPU FinFET en 2012 con sus procesadores Ivy Bridge de 22 nm.

Términos de la CPU, Diseño, Puerta, Aislante, Puente de hiedra, Nanómetro, Silicio